场效应管SE8810A 双N沟道 MOS管
| 价 格： | 500.00 | |
| 品牌/商标： | SINO-IC | |
| 型号/规格： | SE8810A | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | L/功率放大 | |
| 封装外形： | SP/特殊外形 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 低频噪声系数： | 1 | |
| 极间电容： | 1 | |
| 漏极电流： | 7000 |
SHANGHAI Feb 2008 MICROELECTRONICSCO., LTD.
SE8810A
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | ||||||
FeaturesFor a single mosfet ●VDSS= 20 V ●RDS(ON)< 20mW? @ VGS=4.5V @Ids=7A RDS(ON)< 25mW? @ VGS=2.5V @Ids=4A |
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Applications
●Battery protection ●Load switch ●Power management | ||||||
Construction
●Silicon epitaxial planer | ||||||
Absolute Maximum Ratings | ||||||
Parameter | Symbol | Rating | Units | |||
Drain-Source Voltage | VDS | 20 | V | |||
Gate-Source Voltage | VGS | ±12 | V | |||
Drain Current (Note 1) | Continuous Pulsed | ID | 7 | A | ||
IDM | 28 | |||||
Drain-Source Diode Forward Current | IS | 1.7 | A | |||
Maximum Power Dissipation | PD | 1.5 | W | |||
Operating Junction Temperature Range | TJ | -55 to 150 | °C | |||
StorageTemperature Range | TSTG | |||||
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主要类目:1、TVS/ESD保护器件2、场效应管 3、稳压管、4、肖特基二极管 5、AC-DC IC 6、霍尔IC 7、LED开路保护器件 8、二三极管
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SE8209A N沟MOS SOT23-6 光宇
信息内容：主要MOS型号：SE2102E,SE7401U,SE8205，SE8205A，SE8810，SE8810A，SE8209，SE8209A，SE2301，SE2305，SE2306,SE3400，SE3401,SE2N7002，SE9435，SE4953，SE4606，SED5852，SED5853，SE1N60, SE2N60, SE4N60, SE5N60dzsc/18/8782/18878243.jpgdzsc/18/8782/18878243.jpg
