MOS场效应管 SE8810 N沟 TSSOP8 SINO-IC
| 价 格： | 680.00 | |
| 品牌： | SINO-IC | |
| 型号： | 8810 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | AM/调幅 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 600（V） | |
| 夹断电压： | 600（V） | |
| 低频跨导： | 60（μS） | |
| 极间电容： | 800（pF） | |
| 低频噪声系数： | 800（dB） | |
| 漏极电流： | 800（mA） | |
| 耗散功率： | 800（mW） |
上海光宇睿芯微电子有限公司(SINO-IC)提供产品如下：
（电话：021-33933508）
产品类别 型号 封装
| mosfet | 8810 | TSSOP8 |
| mosfet | 9945 | SOP8 |
| mosfet | 4826 | SOP8 |
- 所属城市：上海 上海市
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场效应管SE8810A 双N沟道 MOS管
信息内容：SHANGHAI Feb 2008MICROELECTRONICSCO., LTD. SE8810A Revision:ADual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FeaturesFor a single mosfet●VDSS= 20 V●RDS(ON)< 20mW? @ VGS=4.5V @Ids=7ARDS(ON)< 25mW? @ VGS=2.5V @Ids=4A Applications ●Battery protection●Load switch●Power management Construction ●Silicon epitaxial planerAbsolute Maximum RatingsParameterSymbolRatingUnitsDrain-Source VoltageVDS20VGate-Source VoltageVGS±12VDrain Current (Note 1)ContinuousPulsedID7AIDM28Drain-Source Diode Forward CurrentIS1.7AMaximum Power Dissipation PD1.5WOperating Junction Temperature RangeTJ-55 to 150°CStorageTemperature RangeTSTG 更多型号欢迎访问www.sino-ic.cn,应用方案可参考www.sino-ic.com.或来电咨询:021-33932402-8040主要类目:1、TVS/ESD保护器件2、场效应管 3、稳压管、4、肖特基二极管 5、AC-DC IC 6、霍尔IC 7、LED开路保护器件 8、二三极管
供应SE8209 TSSOP8(图)开关IC
信息内容：上海光宇睿芯微电子有限公司(SINO-IC)提供产品如下：（电话：021-33932402）公司特色:上海光宇睿芯微电子有限公司(SINO-IC)是自主研发设计生产公司，在保证产品品质的同时，价格也是的。产品类别 型号 封装mosfetSE8209( esd)TSSOP8
