21A 250V 156W场效应管IRF654
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | IR 三星 摩托罗拉 | |
| 型号： | IRF654 |
| 品牌/商标 | IR 三星 摩托罗拉 | 型号/规格 | IRF654 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 5（V） | 夹断电压 | 250（V） |
| 低频跨导 | 221（μS） | 极间电容 | 12（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | 漏极电流 | 21（mA） |
| 耗散功率 | 156（mW） |
IRF654：21A 250V 0.14Ω 156W
- 所属城市：广东 汕头
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14A 200V 35W场效应管K2135
信息内容：品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 K2135 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 6（V） 夹断电压 200（V） 极间电容 32（pF） 低频噪声系数 4（dB） 漏极电流 14（mA） 耗散功率 35（mW）
批发75A 30V场效应MOS管N303AP
信息内容：品牌/商标 仙童，哈里斯 型号/规格 N303AP 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 材料 N-FET硅N沟道 漏极电流 75（mA） 耗散功率 215W（mW）
