品牌/商标 | TOS日本东芝 | 型号/规格 | K2135 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 6(V) | 夹断电压 | 200(V) |
极间电容 | 32(pF) | 低频噪声系数 | 4(dB) |
漏极电流 | 14(mA) | 耗散功率 | 35(mW) |
品牌/商标 仙童,哈里斯 型号/规格 N303AP 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 材料 N-FET硅N沟道 漏极电流 75(mA) 耗散功率 215W(mW)
品牌/商标 TOSHIBA东芝 型号/规格 A1837 产品类型 放大二极管 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 金属封装 功率特性 大功率 频率特性 高频 正向直流电流IF 1(A) 反向电压 230(V) 普通管A1837:1A 230V 100MHz 20W