品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRFB4110PBF |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 耗尽型 | 用途 | HF/高频(射频)放大 |
封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 100(V) | 夹断电压 | 100(V) |
极间电容 | 10(pF) | 低频噪声系数 | 10(dB) |
漏极电流 | 1200(mA) | 耗散功率 | 1000(mW) |
IRFB4110PbF |
TO-220AB Pkg |
IR Hexfet TO-220AB |
50 |
離散半導體產品 |
MOSFET,GaNFET - 單 |
HEXFET® |
MOSFET N通道,金屬氧化物 |
邏輯電平閘極 |
4.5 毫歐姆 @ 75A, 10V |
100V |
120A |
4V @ 250µA |
210nC @ 10V |
9620pF @ 50V |
370W |
通孔 |
TO-220-3 |
管裝 |
TO-220AB |
品牌/商标 ZETEX 型号/规格 FMMT624TA 应用范围 功率 功率特性 小功率 频率特性 高频 极性 NPN型 结构 面接触型 材料 硅(Si) 封装形式 SOT23 封装材料 塑料封装 截止频率fT 155(MHz) 集电极允许电流ICM 1(A) 集电极耗散功率PCM 625MW(W) 营销方式 现货 产品性质 热销
品牌/商标 WG 型号/规格 4N60L 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 D-G双栅四极 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 600(V) 夹断电压 10(V) 跨导 10(μS) 极间电容 2(pF) 低频噪声系数 2(dB) 漏极电流 10(mA) 耗散功率 530(mW) 規格書FQP4N60產品相片TO-220-3 Pkg產品變化通告Product Discontinuation 09/Sept/2008標準包裝1,000類別離散半導體產品家庭FETs - Single系列QFET™FET型MOSFET N通道,金屬氧化物FET特點標準開態Rds()...