品牌/商标 | GEN美国通用电气 | 型号/规格 | K2865 |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 耗尽型 | 用途 | MOS-ARR/陈列组件 |
封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 1(V) | 夹断电压 | 1(V) |
跨导 | 1(μS) | 极间电容 | 1(pF) |
低频噪声系数 | 1(dB) | 漏极电流 | 1(mA) |
耗散功率 | 1(mW) |
品牌/商标 进口 型号/规格 BT152 控制方式 单向 极数 三极 封装材料 金属封装 封装外形 平板形 关断速度 普通 散热功能 带散热片 频率特性 超高频 功率特性 大功率 额定正向平均电流 111(A) 控制极触发电流 1(mA) 供应拆机可控硅BT152供应拆机可控硅BT152供应拆机可控硅BT152供应拆机可控硅BT152供应拆机可控硅BT152
品牌/商标 IR 型号/规格 IRF4710 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MIN/微型 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 1(V) 夹断电压 1(V) 跨导 1(μS) 极间电容 1(pF) 低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 1(mA) 耗散功率 1(mW) 现货供应,欢迎订购 IRF4710场效应管 IRF4710场效应管