IRF4710场效应管
| 价 格： | 1.40 | |
| 品牌： | IR | |
| 型号： | IRF4710 |
| 品牌/商标 | IR | 型号/规格 | IRF4710 |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | MIN/微型 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 1（V） | 夹断电压 | 1（V） |
| 跨导 | 1（μS） | 极间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | 漏极电流 | 1（mA） |
| 耗散功率 | 1（mW） |
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IRF4710场效应管
IRF4710场效应管
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信息内容：品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 STTA8120 产品类型 快恢复二极管 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 金属封装 功率特性 大功率 频率特性 超高频 发光颜色 电压控制 LED封装 加色散射封装(D) 出光面特征 组合型 发光强度角分布 高指向性 正向直流电流IF 8（A） 反向电压 1200（V） STTA8120拆机快恢复二极管STTA8120拆机快恢复二极管
拆机场效应管IXFH75N10，75N10
信息内容：品牌/商标 IXY美国电报半导体 型号/规格 IXFH75N10 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 A/宽频带放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 1（V） 夹断电压 1（V） 低频跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 1（mW）
