产品类型 | 肖特基管 | 品牌/商标 | TOSHIBA东芝 |
型号/规格 | 1N4007(M7) | 结构 | 点接触型 |
材料 | 硅(Si) | 封装形式 | 贴片型 |
封装材料 | 塑料封装 | 功率特性 | 大功率 |
频率特性 | 高频 | 发光颜色 | 电压控制 |
LED封装 | 无色透明(T) | 出光面特征 | 微型管 |
发光强度角分布 | 标准型 | 反向电压VR | 100(V) |
正向直流电流IF | 300(mA) |
品牌/商标 INFINEON/英飞凌 型号/规格 4N60 TO-220F 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-FBM/全桥组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 50(V) 夹断电压 500(V) 跨导 50(μS) 极间电容 68(pF) 低频噪声系数 98(dB) 漏极电流 0.01(mA) 耗散功率 10(mW) 质优价优名称封装最少包装数量MOS管 4N60TO-220F50
品牌/商标 INFINEON/英飞凌 型号/规格 8N60 TO-220F 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-INM/独立组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 60(V) 夹断电压 300(V) 跨导 29(μS) 极间电容 60(pF) 低频噪声系数 23(dB) 漏极电流 1(mA) 耗散功率 1(mW) 质优价优名称封装最少包装数量MOS管8N60TO-220F50