MOS管 4N60 TO-220F
| 价 格： | 1.25 | |
| 品牌： | INFINEON/英飞凌 | |
| 型号： | 4N60 TO-220F |
| 品牌/商标 | INFINEON/英飞凌 | 型号/规格 | 4N60 TO-220F |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | MOS-FBM/全桥组件 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 50（V） | 夹断电压 | 500（V） |
| 跨导 | 50（μS） | 极间电容 | 68（pF） |
| 低频噪声系数 | 98（dB） | 漏极电流 | 0.01（mA） |
| 耗散功率 | 10（mW） |
质优价优
| 名称 | 封装 | 最少包装数量 |
| MOS管 4N60 | TO-220F | 50 |
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 刘槐玉
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MOS管 8N60 TO-220F
信息内容：品牌/商标 INFINEON/英飞凌 型号/规格 8N60 TO-220F 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-INM/独立组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 60（V） 夹断电压 300（V） 跨导 29（μS） 极间电容 60（pF） 低频噪声系数 23（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 1（mW） 质优价优名称封装最少包装数量MOS管8N60TO-220F50
MOS管 10100 TO220-AB
信息内容：品牌/商标 INFINEON/英飞凌 型号/规格 10100 TO220-AB 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-INM/独立组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-P-FET锗P沟道 开启电压 100（V） 夹断电压 500（V） 跨导 56（μS） 极间电容 82（pF） 低频噪声系数 54（dB） 漏极电流 2（mA） 耗散功率 2（mW） 名称封装最少包装数量MOS管 10100TO220-AB50
