MOS管 8N60 TO-220F
| 价 格： | 2.00 | |
| 品牌： | INFINEON/英飞凌 | |
| 型号： | 8N60 TO-220F |
| 品牌/商标 | INFINEON/英飞凌 | 型号/规格 | 8N60 TO-220F |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | MOS-INM/独立组件 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 60（V） | 夹断电压 | 300（V） |
| 跨导 | 29（μS） | 极间电容 | 60（pF） |
| 低频噪声系数 | 23（dB） | 漏极电流 | 1（mA） |
| 耗散功率 | 1（mW） |
质优价优
| 名称 | 封装 | 最少包装数量 |
| MOS管8N60 | TO-220F | 50 |
- 所属城市：广东 深圳
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MOS管 10100 TO220-AB
信息内容：品牌/商标 INFINEON/英飞凌 型号/规格 10100 TO220-AB 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-INM/独立组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-P-FET锗P沟道 开启电压 100（V） 夹断电压 500（V） 跨导 56（μS） 极间电容 82（pF） 低频噪声系数 54（dB） 漏极电流 2（mA） 耗散功率 2（mW） 名称封装最少包装数量MOS管 10100TO220-AB50
MOS管 20100 TO220-AB
信息内容：品牌/商标 INFINEON/英飞凌 型号/规格 20100 TO220-AB 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-TPBM/三相桥 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-P-FET锗P沟道 开启电压 100（V） 夹断电压 500（V） 跨导 56（μS） 极间电容 74（pF） 低频噪声系数 45（dB） 漏极电流 2（mA） 耗散功率 2（mW） 名称封装最少包装数量MOS管 20100TO220-AB50
