直插二极管 1N4007 DO-41
| 价 格： | 39.00 | |
| 品牌/商标： | MicroChip | |
| 型号/规格： | 1N4007 DO-41 | |
| 封装形式： | 直插型 | |
| 功率特性： | 大功率 | |
| 频率特性： | 高频 |
| 产品类型 | 整流管 | 品牌/商标 | MicroChip |
| 型号/规格 | 1N4007 DO-41 | 结构 | 点接触型 |
| 材料 | 锗(Ge) | 封装形式 | 直插型 |
| 封装材料 | 树脂封装 | 功率特性 | 大功率 |
| 频率特性 | 高频 | 发光颜色 | 电压控制 |
| LED封装 | 不发光 | 出光面特征 | 不发光 |
| 发光强度角分布 | 不发光 | 反向电压VR | 70（V） |
| 正向直流电流IF | 100（mA） |
- 所属城市：广东 深圳
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贴片二极管1N4007（M7）
信息内容：产品类型 肖特基管 品牌/商标 TOSHIBA东芝 型号/规格 1N4007(M7) 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 功率特性 大功率 频率特性 高频 发光颜色 电压控制 LED封装 无色透明(T) 出光面特征 微型管 发光强度角分布 标准型 反向电压VR 100（V） 正向直流电流IF 300（mA）
MOS管 4N60 TO-220F
信息内容：品牌/商标 INFINEON/英飞凌 型号/规格 4N60 TO-220F 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-FBM/全桥组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 50（V） 夹断电压 500（V） 跨导 50（μS） 极间电容 68（pF） 低频噪声系数 98（dB） 漏极电流 0.01（mA） 耗散功率 10（mW） 质优价优名称封装最少包装数量MOS管 4N60TO-220F50
