品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRG4BC20UDPBF |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | P沟道 |
导电方式 | 耗尽型 | 用途 | L/功率放大 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
开启电压 | 200(V) | 夹断电压 | 600(V) |
跨导 | 21(μS) | 极间电容 | 0.6(pF) |
低频噪声系数 | 2.3(dB) | 漏极电流 | 40(mA) |
耗散功率 | 160(mW) |
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品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFP22N60KPBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 L/功率放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 600(V) 夹断电压 1000(V) 跨导 21(μS) 极间电容 10(pF) 低频噪声系数 11(dB) 漏极电流 22(mA) 耗散功率 370(mW)
品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 L6562DTR 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 耗尽型 用途 L/功率放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 210(V) 夹断电压 500(V) 跨导 10(μS) 极间电容 0.5(pF) 低频噪声系数 0.3(dB) 漏极电流 41(mA) 耗散功率 140(mW)