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原装进口无铅IRG4BC20UDPBF,IRG4BC20UD TO-220

价 格: 0.10
品牌:IR美国国际整流器公司
型号:IRG4BC20UDPBF

品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRG4BC20UDPBF
种类 结型(JFET) 沟道类型 P沟道
导电方式 耗尽型 用途 L/功率放大
封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 P-FET硅P沟道
开启电压 200(V) 夹断电压 600(V)
跨导 21(μS) 极间电容 0.6(pF)
低频噪声系数 2.3(dB) 漏极电流 40(mA)
耗散功率 160(mW)

供应原装进口无铅场效应管,封装:TO-220,数量60K,欢迎来电咨询洽谈,品质保证,假一赔十!

东莞市金航电子科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 东莞
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 邱卫洪
  • 电话:0086 0769 82581116/85316865
  • 传真:0086 0769 85317770
  • 手机:13612739509
  • QQ :
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原装进口无铅IRFP22N60KPBF, IRFP22N60K TO-247

信息内容:

品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFP22N60KPBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 L/功率放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 600(V) 夹断电压 1000(V) 跨导 21(μS) 极间电容 10(pF) 低频噪声系数 11(dB) 漏极电流 22(mA) 耗散功率 370(mW)

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原装进口无铅L6562DTR SOP-8

信息内容:

品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 L6562DTR 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 耗尽型 用途 L/功率放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 210(V) 夹断电压 500(V) 跨导 10(μS) 极间电容 0.5(pF) 低频噪声系数 0.3(dB) 漏极电流 41(mA) 耗散功率 140(mW)

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