品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRFP22N60KPBF |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 耗尽型 | 用途 | L/功率放大 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 600(V) | 夹断电压 | 1000(V) |
跨导 | 21(μS) | 极间电容 | 10(pF) |
低频噪声系数 | 11(dB) | 漏极电流 | 22(mA) |
耗散功率 | 370(mW) |
品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 L6562DTR 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 耗尽型 用途 L/功率放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 210(V) 夹断电压 500(V) 跨导 10(μS) 极间电容 0.5(pF) 低频噪声系数 0.3(dB) 漏极电流 41(mA) 耗散功率 140(mW)
品牌/商标 VISHAY 型号/规格 IRFD110PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 耗尽型 用途 L/功率放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 100(V) 夹断电压 200(V) 跨导 270(μS) 极间电容 2.3(pF) 低频噪声系数 1.5(dB) 漏极电流 1(mA) 耗散功率 1.3(mW)