原装进口无铅L6562DTR SOP-8
| 价 格： | 0.20 | |
| 品牌： | ST意法半导体 | |
| 型号： | L6562DTR |
| 品牌/商标 | ST意法半导体 | 型号/规格 | L6562DTR |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | L/功率放大 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
| 开启电压 | 210（V） | 夹断电压 | 500（V） |
| 跨导 | 10（μS） | 极间电容 | 0.5（pF） |
| 低频噪声系数 | 0.3（dB） | 漏极电流 | 41（mA） |
| 耗散功率 | 140（mW） |
- 所属城市：广东 东莞
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原装进口无铅IRFD110PBF, IRFD110 DIP-4
信息内容：品牌/商标 VISHAY 型号/规格 IRFD110PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 耗尽型 用途 L/功率放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 100（V） 夹断电压 200（V） 跨导 270（μS） 极间电容 2.3（pF） 低频噪声系数 1.5（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 1.3（mW）
原装进口无铅IR2130 DIP-28
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IR2130 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 耗尽型 用途 L/功率放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 120（V） 夹断电压 520（V） 跨导 12（μS） 极间电容 1.2（pF） 低频噪声系数 1.4（dB） 漏极电流 45（mA） 耗散功率 135（mW）
