0.5A 200V场效应管J79
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | TOS日本东芝 | |
| 型号： | J79 |
| 品牌/商标 | TOS日本东芝 | 型号/规格 | J79 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
| 开启电压 | 5（V） | 夹断电压 | 200（V） |
| 低频跨导 | 2222（μS） | 极间电容 | 23（pF） |
| 低频噪声系数 | 4（dB） | 漏极电流 | 0.5（mA） |
P场J79：0.5A 200V
- 所属城市：广东 汕头
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高压场IRFBC30
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFBC30 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 10（V） 夹断电压 600（V） 低频跨导 2222（μS） 极间电容 1999（pF） 低频噪声系数 222（dB） 漏极电流 3.6A（mA） 耗散功率 74（mW） IRFBC30的参数3.6A 600V <2.2Ω 74W
18A 200V 125W场效应管IRF640
信息内容：品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 IRF640 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 4（V） 夹断电压 200（V） 极间电容 23（pF） 低频噪声系数 5（dB） 漏极电流 18（mA） 耗散功率 125（mW） IRF640：18A 200V <0.18 125W
