高压场IRFBC30
| 价 格： | 1.00 | |
| 品牌： | IR美国国际整流器公司 | |
| 型号： | IRFBC30 |
| 品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRFBC30 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 10（V） | 夹断电压 | 600（V） |
| 低频跨导 | 2222（μS） | 极间电容 | 1999（pF） |
| 低频噪声系数 | 222（dB） | 漏极电流 | 3.6A（mA） |
| 耗散功率 | 74（mW） |
IRFBC30的参数3.6A 600V <2.2Ω 74W
- 所属城市：广东 汕头
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18A 200V 125W场效应管IRF640
信息内容：品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 IRF640 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 4（V） 夹断电压 200（V） 极间电容 23（pF） 低频噪声系数 5（dB） 漏极电流 18（mA） 耗散功率 125（mW） IRF640：18A 200V <0.18 125W
3A 500V场效应管K2862
信息内容：品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 K2862 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 5（V） 夹断电压 500（V） 低频跨导 2698（μS） 极间电容 26（pF） 低频噪声系数 19（dB） 漏极电流 3（mA）
