18A 200V 125W场效应管IRF640
| 价 格： | 0.80 | |
| 品牌： | ST意法半导体 | |
| 型号： | IRF640 |
| 品牌/商标 | ST意法半导体 | 型号/规格 | IRF640 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 4（V） | 夹断电压 | 200（V） |
| 极间电容 | 23（pF） | 低频噪声系数 | 5（dB） |
| 漏极电流 | 18（mA） | 耗散功率 | 125（mW） |
IRF640：18A 200V <0.18 125W
- 所属城市：广东 汕头
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3A 500V场效应管K2862
信息内容：品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 K2862 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 5（V） 夹断电压 500（V） 低频跨导 2698（μS） 极间电容 26（pF） 低频噪声系数 19（dB） 漏极电流 3（mA）
83A 60V场效应J607
信息内容：品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 J607 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 7（V） 夹断电压 60（V） 低频跨导 223（μS） 极间电容 32（pF） 低频噪声系数 5（dB） 漏极电流 83（mA）
