批发80A 75V场效应MOS管AOT430
| 价 格： | 2.00 | |
| 品牌： | ALP美国Alpha | |
| 型号： | AOT430 |
| 品牌/商标 | ALP美国Alpha | 型号/规格 | AOT430 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 2（V） | 夹断电压 | 20（V） |
| 低频跨导 | 0（μS） | 极间电容 | 0（pF） |
| 低频噪声系数 | 00（dB） | 漏极电流 | 80A（mA） |
| 耗散功率 | 268W（mW） |
AOT430 80A 75V 268W 代替STP75NF75 IRF2807
- 所属城市：广东 汕头
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 苏春湖
- 电话：86 0754 84483628
- 传真：86 0754 84493628
- 手机：13322722404
- QQ ：
3.5A 900V 40W场效应管K2769
信息内容：品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 K2769 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 9（V） 夹断电压 900（V） 低频跨导 2651（μS） 极间电容 26（pF） 低频噪声系数 17（dB） 漏极电流 3.5（mA） 耗散功率 40（mW） K2769:3.5A 900V <5.5Ω 40W
8A 900V场效应管K3679
信息内容：品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 K3679 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 90（V） 夹断电压 900（V） 低频跨导 2533（μS） 极间电容 21（pF） 低频噪声系数 19（dB） 漏极电流 8（mA） K3679：8A 900V
