8A 900V场效应管K3679
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | TOS日本东芝 | |
| 型号： | K3679 |
| 品牌/商标 | TOS日本东芝 | 型号/规格 | K3679 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 90（V） | 夹断电压 | 900（V） |
| 低频跨导 | 2533（μS） | 极间电容 | 21（pF） |
| 低频噪声系数 | 19（dB） | 漏极电流 | 8（mA） |
K3679：8A 900V
- 所属城市：广东 汕头
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20A 60V场效应管J651
信息内容：品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 J651 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 6（V） 夹断电压 60（V） 低频跨导 2336（μS） 极间电容 21（pF） 低频噪声系数 6（dB） 漏极电流 20（mA）
65A 60V场效应管J605
信息内容：品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 J605 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 5（V） 夹断电压 60（V） 低频跨导 2223（μS） 极间电容 23（pF） 低频噪声系数 2（dB） 漏极电流 65（mA）
