3.5A 900V 40W场效应管K2769
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | TOS日本东芝 | |
| 型号： | K2769 |
| 品牌/商标 | TOS日本东芝 | 型号/规格 | K2769 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 9（V） | 夹断电压 | 900（V） |
| 低频跨导 | 2651（μS） | 极间电容 | 26（pF） |
| 低频噪声系数 | 17（dB） | 漏极电流 | 3.5（mA） |
| 耗散功率 | 40（mW） |
K2769:3.5A 900V <5.5Ω 40W
- 所属城市：广东 汕头
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8A 900V场效应管K3679
信息内容：品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 K3679 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 90（V） 夹断电压 900（V） 低频跨导 2533（μS） 极间电容 21（pF） 低频噪声系数 19（dB） 漏极电流 8（mA） K3679：8A 900V
20A 60V场效应管J651
信息内容：品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 J651 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 6（V） 夹断电压 60（V） 低频跨导 2336（μS） 极间电容 21（pF） 低频噪声系数 6（dB） 漏极电流 20（mA）
