10A 350V 50W场效应管K2799
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | TOS日本东芝 | |
| 型号： | K2799 |
| 品牌/商标 | TOS日本东芝 | 型号/规格 | K2799 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 35（V） | 夹断电压 | 350（V） |
| 低频跨导 | 2652（μS） | 极间电容 | 26（pF） |
| 低频噪声系数 | 18（dB） | 漏极电流 | 10（mA） |
| 耗散功率 | 50（mW） |
K2799：10A 350V <0.4Ω 50W
- 所属城市：广东 汕头
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批发80A 75V场效应MOS管AOT430
信息内容：品牌/商标 ALP美国Alpha 型号/规格 AOT430 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2（V） 夹断电压 20（V） 低频跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 00（dB） 漏极电流 80A（mA） 耗散功率 268W（mW） AOT430 80A 75V 268W 代替STP75NF75 IRF2807
3.5A 900V 40W场效应管K2769
信息内容：品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 K2769 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 9（V） 夹断电压 900（V） 低频跨导 2651（μS） 极间电容 26（pF） 低频噪声系数 17（dB） 漏极电流 3.5（mA） 耗散功率 40（mW） K2769:3.5A 900V <5.5Ω 40W
