【现货供应】IXTP50N20P
| 价 格： | 4.00 | |
| 品牌： | IXY美国电报半导体 | |
| 型号： | IXTP50N20P |
| 品牌/商标 | IXY美国电报半导体 | 型号/规格 | IXTP50N20P |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | A/宽频带放大 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | ALGaAS铝镓砷 |
| 开启电压 | 20（V） | 夹断电压 | 200（V） |
| 低频跨导 | 原厂规格（μS） | 极间电容 | 原厂规格（pF） |
| 低频噪声系数 | 原厂规格（dB） | 漏极电流 | 50（mA） |
| 耗散功率 | 360000（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
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场效应管 SPW17N80C3
信息内容：品牌/商标 英飞凌 型号/规格 SPW17N80C3 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 A/宽频带放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 ALGaAS铝镓砷 开启电压 43（V） 夹断电压 33（V） 跨导 33（μS） 极间电容 22（pF） 低频噪声系数 32（dB） 漏极电流 23（mA） 耗散功率 22（mW） 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.29 Ohm @ 10 V 汲极/源极击穿电压: 800 V ...
批发场效应管 20N60
信息内容：品牌/商标 FSC 型号/规格 20N60 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 33（V） 夹断电压 42（V） 低频跨导 11（μS） 极间电容 33（pF） 低频噪声系数 22（dB） 漏极电流 11（mA） 耗散功率 55（mW） dzsc/18/7471/18747163.jpg制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 Product Type: MOSFET Power 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 封装 / 箱体: TO-220-3 TO...
