品牌/商标 | FSC | 型号/规格 | 20N60 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | S/开关 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
开启电压 | 33(V) | 夹断电压 | 42(V) |
低频跨导 | 11(μS) | 极间电容 | 33(pF) |
低频噪声系数 | 22(dB) | 漏极电流 | 11(mA) |
耗散功率 | 55(mW) |
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制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
Product Type: MOSFET Power
配置: Single
晶体管极性: N-Channel
封装 / 箱体: TO-220-3 TO-247
电阻汲极/源极 RDS(导通): 190 m Ohms
汲极/源极击穿电压: 600 V
闸/源击穿电压: 2.1 V
漏极连续电流: 20.7 A
功率耗散: 34.5 W
工作温度: + 150 C
封装: Tube
最小工作温度: - 55 C
品牌/商标 INR美德国际整流器件 型号/规格 IRF730PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-TPBM/三相桥 封装外形 CHIP/小型片状 材料 ALGaAS铝镓砷 开启电压 原厂(V) 夹断电压 400(V) 跨导 原厂(μS) 极间电容 原厂(pF) 低频噪声系数 原厂(dB) 漏极电流 5.5(mA) 耗散功率 74000(mW) 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 电阻汲极/源极 RDS(导通): 1 Ohm @ 10 V 汲极/源极击穿电压: 400 ...
品牌/商标 FSC 型号/规格 15N60 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 FM/调频 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 原厂规格(V) 夹断电压 原厂规格(V) 低频跨导 原厂规格(μS) 极间电容 原厂规格(pF) 低频噪声系数 原厂规格(dB) 漏极电流 原厂规格(mA) 耗散功率 原厂规格(mW) dzsc/18/7478/18747884.jpg制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 Product Type: MOSFET Power 配置: Single 晶体管极性: ...