场效应管 SPW17N80C3
| 价 格： | 8.00 | |
| 品牌： | 英飞凌 | |
| 型号： | SPW17N80C3 |
| 品牌/商标 | 英飞凌 | 型号/规格 | SPW17N80C3 |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | A/宽频带放大 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | ALGaAS铝镓砷 |
| 开启电压 | 43（V） | 夹断电压 | 33（V） |
| 跨导 | 33（μS） | 极间电容 | 22（pF） |
| 低频噪声系数 | 32（dB） | 漏极电流 | 23（mA） |
| 耗散功率 | 22（mW） |
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET 功率
RoHS: 详细信息
配置: Single
晶体管极性: N-Channel
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.29 Ohm @ 10 V
汲极/源极击穿电压: 800 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 17 A
功率耗散: 208000 mW
工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247
封装: Tube
最小工作温度: - 55 C
零件号别名: SPW17N80C3XK
- 所属城市：广东 深圳
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- 电话：0755-82894329
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批发场效应管 20N60
信息内容：品牌/商标 FSC 型号/规格 20N60 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 33（V） 夹断电压 42（V） 低频跨导 11（μS） 极间电容 33（pF） 低频噪声系数 22（dB） 漏极电流 11（mA） 耗散功率 55（mW） dzsc/18/7471/18747163.jpg制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 Product Type: MOSFET Power 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 封装 / 箱体: TO-220-3 TO...
原装三极管 IRF730PBF
信息内容：品牌/商标 INR美德国际整流器件 型号/规格 IRF730PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-TPBM/三相桥 封装外形 CHIP/小型片状 材料 ALGaAS铝镓砷 开启电压 原厂（V） 夹断电压 400（V） 跨导 原厂（μS） 极间电容 原厂（pF） 低频噪声系数 原厂（dB） 漏极电流 5.5（mA） 耗散功率 74000（mW） 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 1 Ohm @ 10 V 汲极/源极击穿电压: 400 ...
