品牌/商标 | Microchip | 型号/规格 | 24AA64-I/SN |
封装 | SOP8 | 批号 | 10+ |
制作工艺 | 半导体集成 | 导电类型 | 双极型 |
规格尺寸 | 32(mm) | 工作温度 | -40~85(℃) |
静态功耗 | 22(mW) | 类型 | 单片机 |
品牌/商标 IXY美国电报半导体 型号/规格 IXTP50N20P 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 A/宽频带放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 ALGaAS铝镓砷 开启电压 20(V) 夹断电压 200(V) 低频跨导 原厂规格(μS) 极间电容 原厂规格(pF) 低频噪声系数 原厂规格(dB) 漏极电流 50(mA) 耗散功率 360000(mW)
品牌/商标 英飞凌 型号/规格 SPW17N80C3 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 A/宽频带放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 ALGaAS铝镓砷 开启电压 43(V) 夹断电压 33(V) 跨导 33(μS) 极间电容 22(pF) 低频噪声系数 32(dB) 漏极电流 23(mA) 耗散功率 22(mW) 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 电阻汲极/源极 RDS(导通): 0.29 Ohm @ 10 V 汲极/源极击穿电压: 800 V ...