品牌/商标 | ST意法半导体 | 型号/规格 | STP9NK50Z |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 耗尽型 | 用途 | S/开关 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
开启电压 | 原厂规格(V) | 夹断电压 | 原厂规格(V) |
低频跨导 | 原厂规格(μS) | 极间电容 | 原厂规格(pF) |
低频噪声系数 | 原厂规格(dB) | 漏极电流 | 原厂规格(mA) |
耗散功率 | 原厂规格(mW) |
品牌/商标 Microchip 型号/规格 24AA64-I/SN 封装 SOP8 批号 10+ 制作工艺 半导体集成 导电类型 双极型 规格尺寸 32(mm) 工作温度 -40~85(℃) 静态功耗 22(mW) 类型 单片机
品牌/商标 IXY美国电报半导体 型号/规格 IXTP50N20P 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 A/宽频带放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 ALGaAS铝镓砷 开启电压 20(V) 夹断电压 200(V) 低频跨导 原厂规格(μS) 极间电容 原厂规格(pF) 低频噪声系数 原厂规格(dB) 漏极电流 50(mA) 耗散功率 360000(mW)