STP75NF75场效应管
| 价 格： | 3.00 | |
| 品牌： | ST | |
| 型号： | STP75NF75 |
| 品牌/商标 | ST | 型号/规格 | STP75NF75 |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | A/宽频带放大 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | ALGaAS铝镓砷 |
| 开启电压 | 120（V） | 夹断电压 | 333（V） |
| 跨导 | 21（μS） | 极间电容 | 41（pF） |
| 低频噪声系数 | 255（dB） | 漏极电流 | 344（mA） |
| 耗散功率 | 323（mW） |
dzsc/18/7466/18746676.jpg
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET Power
RoHS: 详细信息
配置: Single
晶体管极性: N-Channel
封装 / 箱体: TO-220AB
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.0095 Ohms
正向跨导 gFS（值/最小值） : 20 S
汲极/源极击穿电压: 75 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 80 A
功率耗散: 300 W
工作温度: + 175 C
封装: Tube
最小工作温度: - 55 C
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 陈义雄
- 电话：0755-82894329
- 传真：0755-82894329
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场效应管 12N60
信息内容：品牌/商标 FSC 型号/规格 12N60 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 NF/音频(低频) 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 110（V） 夹断电压 77（V） 低频跨导 73（μS） 极间电容 32（pF） 低频噪声系数 44（dB） 漏极电流 22（mA） 耗散功率 62（mW） dzsc/18/7466/18746677.jpg制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 Product Type: MOSFET Power 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 封装 / ...
场效应管 IRF3205PBF
信息内容：品牌/商标 菲律宾 型号/规格 IRF3205PBF 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MW/微波 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 ALGaAS铝镓砷 开启电压 50（V） 夹断电压 20（V） 低频跨导 43（μS） 极间电容 33（pF） 低频噪声系数 43（dB） 漏极电流 90（mA） 耗散功率 97（mW） dzsc/18/7466/18746678.jpg产品种类: MOSFET Power RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 封装 / 箱体: TO-220AB 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 8 m Ohms 正向跨...
