场效应管 12N60
| 价 格： | 4.00 | |
| 品牌： | FSC | |
| 型号： | 12N60 |
| 品牌/商标 | FSC | 型号/规格 | 12N60 |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | NF/音频(低频) |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 110（V） | 夹断电压 | 77（V） |
| 低频跨导 | 73（μS） | 极间电容 | 32（pF） |
| 低频噪声系数 | 44（dB） | 漏极电流 | 22（mA） |
| 耗散功率 | 62（mW） |
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制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
Product Type: MOSFET Power
配置: Single
晶体管极性: N-Channel
封装 / 箱体: TO-220
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.65 Ohms
正向跨导 gFS（值/最小值） : 13 S
汲极/源极击穿电压: 600 V
闸/源击穿电压: +/- 30 V
漏极连续电流: 12 A
功率耗散: 225 W
工作温度: + 150 C
封装: Tube
最小工作温度: - 55 C
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 陈义雄
- 电话：0755-82894329
- 传真：0755-82894329
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场效应管 IRF3205PBF
信息内容：品牌/商标 菲律宾 型号/规格 IRF3205PBF 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MW/微波 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 ALGaAS铝镓砷 开启电压 50（V） 夹断电压 20（V） 低频跨导 43（μS） 极间电容 33（pF） 低频噪声系数 43（dB） 漏极电流 90（mA） 耗散功率 97（mW） dzsc/18/7466/18746678.jpg产品种类: MOSFET Power RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 封装 / 箱体: TO-220AB 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 8 m Ohms 正向跨...
Microchip 单片机 25LC1024-I/SM
信息内容：品牌/商标 Microchip 型号/规格 25LC1024-I/SM 封装 SOP8 批号 10+ 制作工艺 半导体集成 导电类型 双极型 规格尺寸 32（mm） 工作温度 -40~85（℃） 静态功耗 22（mW） 类型 单片机
