品牌/商标 | 菲律宾 | 型号/规格 | IRF3205PBF |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 耗尽型 | 用途 | MW/微波 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | ALGaAS铝镓砷 |
开启电压 | 50(V) | 夹断电压 | 20(V) |
低频跨导 | 43(μS) | 极间电容 | 33(pF) |
低频噪声系数 | 43(dB) | 漏极电流 | 90(mA) |
耗散功率 | 97(mW) |
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产品种类: MOSFET Power
RoHS: 详细信息
配置: Single
晶体管极性: N-Channel
封装 / 箱体: TO-220AB
电阻汲极/源极 RDS(导通): 8 m Ohms
正向跨导 gFS(值/最小值) : 44 S
汲极/源极击穿电压: 55 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 98 A
功率耗散: 150 W
工作温度: + 175 C
最小工作温度: - 55 C
品牌/商标 Microchip 型号/规格 25LC1024-I/SM 封装 SOP8 批号 10+ 制作工艺 半导体集成 导电类型 双极型 规格尺寸 32(mm) 工作温度 -40~85(℃) 静态功耗 22(mW) 类型 单片机
品牌/商标 INR美德国际整流器件 型号/规格 IRF830PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-TPBM/三相桥 封装外形 CHIP/小型片状 材料 ALGaAS铝镓砷 开启电压 10(V) 夹断电压 50(V) 跨导 原厂(μS) 极间电容 原厂(pF) 低频噪声系数 原厂(dB) 耗散功率 74000(mW) dzsc/18/7466/18746688.jpg产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 电阻汲极/源极 RDS(导通): 1.5 Ohm @ 10 V 汲极/源极击穿电压: 500 V 闸/源击穿电压: +/- 20 V 漏极连续电流...