品牌/商标 | INR美德国际整流器件 | 型号/规格 | IRF830PBF |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | MOS-TPBM/三相桥 |
封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | ALGaAS铝镓砷 |
开启电压 | 10(V) | 夹断电压 | 50(V) |
跨导 | 原厂(μS) | 极间电容 | 原厂(pF) |
低频噪声系数 | 原厂(dB) | 耗散功率 | 74000(mW) |
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产品种类: MOSFET 功率
RoHS: 详细信息
配置: Single
晶体管极性: N-Channel
电阻汲极/源极 RDS(导通): 1.5 Ohm @ 10 V
汲极/源极击穿电压: 500 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 4.5 A
功率耗散: 74000 mW
工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220AB
封装: Tube
最小工作温度: - 55 C
产品类型 整流管 品牌/商标 Vishay威世 型号/规格 1N5392 结构 点接触型 封装形式 直插型 发光颜色 电压控制 LED封装 无色透明(T) 出光面特征 微型管 发光强度角分布 标准型 正向直流电流IF 1.5(A) 反向电压 100(V) dzsc/18/7468/18746824.jpg制造商: Vishay 产品种类: 整流器 RoHS: 详细信息 产品: Standard Recovery Rectifier 配置: Single 反向电压: 100 V 正向电压下降: 1.4 V 恢复时间: 2000 ns 正向连续电流: 1.5 A 浪涌电流: 50 A 反向电流 IR: 5 uA 封装 / 箱体: DO-204AL 封装: Bulk 工作温度: + 150 C 最小工作温度: - 50 C
品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 STP9NK50Z 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 S/开关 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 原厂规格(V) 夹断电压 原厂规格(V) 低频跨导 原厂规格(μS) 极间电容 原厂规格(pF) 低频噪声系数 原厂规格(dB) 漏极电流 原厂规格(mA) 耗散功率 原厂规格(mW)