场效应管 SPP20N60C3
| 价 格： | 0.10 | |
| 品牌： | infineon | |
| 型号： | SPP20N60C3 |
| 品牌/商标 | infineon | 型号/规格 | SPP20N60C3 |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | MW/微波 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | ALGaAS铝镓砷 |
| 开启电压 | 32（V） | 夹断电压 | 22（V） |
| 跨导 | 13（μS） | 极间电容 | 21（pF） |
| 低频噪声系数 | 11（dB） | 漏极电流 | 22（mA） |
| 耗散功率 | 33（mW） |
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET 功率
RoHS: 详细信息
配置: Single
晶体管极性: N-Channel
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.19 Ohm @ 10 V
汲极/源极击穿电压: 600 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 20.7 A
功率耗散: 208000 mW
工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220AB
封装: Tube
最小工作温度: - 55 C
零件号别名: SPP20N60C3XK
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 陈义雄
- 电话：0755-82894329
- 传真：0755-82894329
- 手机：
- QQ ：
STP75NF75场效应管
信息内容：品牌/商标 ST 型号/规格 STP75NF75 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 A/宽频带放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 ALGaAS铝镓砷 开启电压 120（V） 夹断电压 333（V） 跨导 21（μS） 极间电容 41（pF） 低频噪声系数 255（dB） 漏极电流 344（mA） 耗散功率 323（mW） dzsc/18/7466/18746676.jpg制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET Power RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 封装 / 箱体: TO-220AB 电阻汲极/源极 ...
场效应管 12N60
信息内容：品牌/商标 FSC 型号/规格 12N60 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 NF/音频(低频) 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 110（V） 夹断电压 77（V） 低频跨导 73（μS） 极间电容 32（pF） 低频噪声系数 44（dB） 漏极电流 22（mA） 耗散功率 62（mW） dzsc/18/7466/18746677.jpg制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 Product Type: MOSFET Power 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 封装 / ...
