STC单片机 STC12C5412AD
| 价 格： | 3.00 |
| 品牌/商标 | STC单片机 | 型号/规格 | SOP DIP |
| 封装 | STC12C5412AD | 批号 | 10+ |
| 制作工艺 | 半导体集成 | 导电类型 | 双极型 |
| 规格尺寸 | 33（mm） | 工作温度 | -40~85（℃） |
| 静态功耗 | 22（mW） | 类型 | 单片机 |
深圳市宏诚辉电子是一家的电子元器件分销商。专注于世界各大品牌的IC集成电路、贴片电容电阻和贴片二三极管；且与一家深圳本土铝电解电容工厂合作，能接受高要求的特制电容订单。分销产品线应用范围涵盖消费类电子、电脑及周边、电源、通讯设备等。
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服务宗旨
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- 所属城市：广东 深圳
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场效应管 SPP20N60C3
信息内容：品牌/商标 infineon 型号/规格 SPP20N60C3 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MW/微波 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 ALGaAS铝镓砷 开启电压 32（V） 夹断电压 22（V） 跨导 13（μS） 极间电容 21（pF） 低频噪声系数 11（dB） 漏极电流 22（mA） 耗散功率 33（mW） 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.19 Ohm @ 10 V 汲极/源极击穿电压: 600 V 闸/...
STP75NF75场效应管
信息内容：品牌/商标 ST 型号/规格 STP75NF75 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 A/宽频带放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 ALGaAS铝镓砷 开启电压 120（V） 夹断电压 333（V） 跨导 21（μS） 极间电容 41（pF） 低频噪声系数 255（dB） 漏极电流 344（mA） 耗散功率 323（mW） dzsc/18/7466/18746676.jpg制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET Power RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 封装 / 箱体: TO-220AB 电阻汲极/源极 ...
