品牌/商标 | 仙童。ST。英飞凌。IR | 型号/规格 | IRF840 |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 耗尽型 | 用途 | MW/微波 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | SENSEFET电流敏感 |
开启电压 | A(V) | 夹断电压 | A(V) |
极间电容 | A(pF) | 低频噪声系数 | A(dB) |
漏极电流 | A(mA) | 耗散功率 | A(mW) |
品牌/商标 进口 型号/规格 MBR3060PT 应用范围 功率 材料 硅(Si) 极性 NPN型 集电极允许电流ICM a(A) 集电极耗散功率PCM w(W) 截止频率fT mhz(MHz) 结构 点接触型 封装形式 直插型 封装材料 塑料封装
品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 供应GT40Q323,GT40Q322 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 A/宽频带放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 V(V) 夹断电压 V(V) 低频跨导 US(μS) 极间电容 PF(pF) 低频噪声系数 db(dB) 漏极电流 ma(mA) 耗散功率 mw(mW)