品牌/商标 | 进口 | 型号/规格 | MBR3060PT |
应用范围 | 功率 | 材料 | 硅(Si) |
极性 | NPN型 | 集电极允许电流ICM | a(A) |
集电极耗散功率PCM | w(W) | 截止频率fT | mhz(MHz) |
结构 | 点接触型 | 封装形式 | 直插型 |
封装材料 | 塑料封装 |
品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 供应GT40Q323,GT40Q322 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 A/宽频带放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 V(V) 夹断电压 V(V) 低频跨导 US(μS) 极间电容 PF(pF) 低频噪声系数 db(dB) 漏极电流 ma(mA) 耗散功率 mw(mW)
品牌/商标 进口 型号/规格 52CPQ030 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 L/功率放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 V(V) 夹断电压 V(V) 极间电容 pf(pF) 低频噪声系数 db(dB) 漏极电流 ma(mA) 耗散功率 mw(mW)