拆机GT40Q323,GT40Q322 场效应管 ，
| 价 格： | 4.50 | |
| 品牌： | TOS日本东芝 | |
| 型号： | 供应GT40Q323,GT40Q322 |
| 品牌/商标 | TOS日本东芝 | 型号/规格 | 供应GT40Q323,GT40Q322 |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | A/宽频带放大 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | V（V） | 夹断电压 | V（V） |
| 低频跨导 | US（μS） | 极间电容 | PF（pF） |
| 低频噪声系数 | db（dB） | 漏极电流 | ma（mA） |
| 耗散功率 | mw（mW） |
- 所属城市：广东 汕头
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拆机三极管52CPQ030
信息内容：品牌/商标 进口 型号/规格 52CPQ030 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 L/功率放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 V（V） 夹断电压 V（V） 极间电容 pf（pF） 低频噪声系数 db（dB） 漏极电流 ma（mA） 耗散功率 mw（mW）
【汕头市】供应场效应管FCQ10U06 价格优惠
信息内容：品牌/商标 ST 仙童 型号/规格 10U06 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MOS-INM/独立组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GaAS-FET砷化镓 开启电压 A（V） 夹断电压 A（V） 极间电容 A（pF） 低频噪声系数 A（dB） 漏极电流 A（mA） 耗散功率 A（mW）
