SEMIWILL高品质-IRF3205-MOS管-场效应管-MOSFET
| 价 格： | 2.30 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 型号/规格： | IRF3205 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 品牌/商标： | SEMIWILL | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 导电方式： | 增强型 |
IRF3205-MOS管-场效应管-MOSFET
概述
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
产品特性：
热阻低、开关速度快、输入阻抗高、符合RoHS规范
主要参数：
漏-源电压VDS≥55V 漏极电流ID=110 导通电阻RDS≤8mohm
- 所属城市：上海
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- 联系人： 汪少云
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SEMIWILL高品质-4N60-MOS管-场效应管-MOSFET
信息内容：4N60-MOS管-场效应管-MOSFET 概述场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 产品特性：热阻低、开关速度快、输入阻抗高、符合RoHS规范 主要参数：漏-源电压VDS≥600V 漏极电流ID=4A 导通电阻RDS≤2.2ohm
MOS管
信息内容：SEMIWILL高品质-MOS管-场效应管-MOSFET 概述场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 产品特性：热阻低、开关速度快、输入阻抗高、符合RoHS规范 封装形式：TO-126、TO-220、TO-220F、TO-3PB、TO-247、TO-251、TO-252、TO-263等 型号汇总：1N60 1N65 1N70 1N80 2N60 2N65 2N80 4N60 4N65 7N60 8N60 9N60 18N50 IRF730 IRF830 IRF740 IRF840 IRF3205 75N75 80N75等
