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原装IRFD9110 场效应管
信息内容：品牌/商标 IR 型号/规格 IRFD9110 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 WAFER/裸芯片 材料 GE-N-FET锗N沟道
原装2SK2806场效应管
信息内容：品牌/商标 FUJI 型号/规格 2SK2806 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 WAFER/裸芯片 材料 GE-N-FET锗N沟道 原装现货，欢迎查询产品种类:MOSFET 功率 RoHS:dzsc/18/7507/18750750.gif 详细信息配置:Single 晶体管极性:N-Channel电阻汲极/源极 RDS（导通）:1.4 Ohms 汲极/源极击穿电压:900 V闸/源击穿电压:+/- 30 V 漏极连续电流:8 A功率耗散:85 W 工作温度:+ 150 C安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-3P(N)IS封装:Bulk 最小工作温度:- 55 C
