原装IRFD9110 场效应管
| 价 格： | 1.00 | |
| 品牌： | IR | |
| 型号： | IRFD9110 |
| 品牌/商标 | IR | 型号/规格 | IRFD9110 |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | HF/高频(射频)放大 |
| 封装外形 | WAFER/裸芯片 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
- 所属城市：广东 深圳
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原装2SK2806场效应管
信息内容：品牌/商标 FUJI 型号/规格 2SK2806 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 WAFER/裸芯片 材料 GE-N-FET锗N沟道 原装现货，欢迎查询产品种类:MOSFET 功率 RoHS:dzsc/18/7507/18750750.gif 详细信息配置:Single 晶体管极性:N-Channel电阻汲极/源极 RDS（导通）:1.4 Ohms 汲极/源极击穿电压:900 V闸/源击穿电压:+/- 30 V 漏极连续电流:8 A功率耗散:85 W 工作温度:+ 150 C安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-3P(N)IS封装:Bulk 最小工作温度:- 55 C
IRU1015-33CD二三极管集成电路场效应
信息内容：品牌/商标 IR 型号/规格 IRU1015-33CD 种类 结型(JFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 FM/调频 封装外形 WAFER/裸芯片 材料 GE-P-FET锗P沟道 原装现货，欢迎查询极性:Positive 输入电压:7 V输出电压:1.25 V to 5.5 V 输出类型:Adjustable回动电压（值）:1.3 V at 1 A 输出电流:1 A线路调整率:0.2 % 负载调节:0.4 %电压调节准确度:1 % 工作温度:+ 150 C安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-223封装:Tube 最小工作温度:0 C参考电压:1.262 V
