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原装2SK2806场效应管

价 格: 1.00
品牌:FUJI
型号:2SK2806

品牌/商标 FUJI 型号/规格 2SK2806
种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大
封装外形 WAFER/裸芯片 材料 GE-N-FET锗N沟道

原装现货,欢迎查询

产品种类:MOSFET 功率
 

 

RoHS:dzsc/18/7507/18750750.gif 详细信息
配置:Single
 

 

晶体管极性:N-Channel
电阻汲极/源极 RDS(导通):1.4 Ohms
 

 

汲极/源极击穿电压:900 V
闸/源击穿电压:+/- 30 V
 

 

漏极连续电流:8 A
功率耗散:85 W
 

 

工作温度:+ 150 C
安装风格:Through Hole
 

 

封装 / 箱体:TO-3P(N)IS
封装:Bulk
 

 

最小工作温度:- 55 C

深圳市新源江贸易有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 李俊龙
  • 电话:0755-83957788
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原装2SK2651场效应管

信息内容:

品牌/商标 FUJI 型号/规格 2SK2651 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 HI-REL/高可靠性 封装外形 WAFER/裸芯片 材料 GE-N-FET锗N沟道

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