品牌/商标 | ST意法半导体 | 型号/规格 | BTA08-600C |
控制方式 | 双向 | 极数 | 三极 |
封装材料 | 塑料封装 | 封装外形 | TO-220AB |
关断速度 | 普通 | 散热功能 | 带散热片 |
功率特性 | 中功率 | 频率特性 | 中频 |
额定正向平均电流 | 8(A) | 控制极触发电压 | 1.3(V) |
控制极触发电流 | 25(mA) | 正向重复峰值电压 | 600(V) |
反向阻断峰值电压 | 600(V) |
型号 | 封装 | 控制方式 | 极数 | VDRM | VRRM | IT | IT | IT | VGT | IGT | |
TYPE | 品牌 | Package | ( V ) | ( V ) | MAX(RMS)A | MAX(AV)A | TSM(MAX)A | (max)V | (max)MA | ||
BT169D | NXP | TO-92 | 单向 | 三极 | 400 | 400 | 0.8 | 0.5 | 8 | 0.8 | 0.2 |
BT131-600E | NXP | TO-92 | 双向 | 三极 | 600 | 600 | 1 | 12.5 | 1.5 | 10 | |
BT134-600E | NXP | TO-126 | 双向 | 三极 | 600 | 600 | 4 | 25 | 1.5 | 25 | |
BT136-600E | NXP | TO-220AB | 双向 | 三极 | 600 | 600 | 4 | 25 | 1.5 | 25 | |
BT137-600E | NXP | TO-220AB | 双向 | 三极 | 600 | 600 | 8 | 65 | 1.5 | 50 | |
BT138-600E | NXP | TO-220AB | 双向 | 三极 | 600 | 600 | 12 | 95 | 1.5 | 25 | |
BT139-600E | NXP | TO-220AB | 双向 | 三极 | 600 | 600 | 16 | 140 | 1.5 | 25 | |
BT151-500R | NXP | TO-220AB | 单向 | 三极 | 500 | 500 | 12 | 7.5 | 100 | 1.5 | 15 |
BT152-600R | NXP | TO-220AB | 单向 | 三极 | 650 | 650 | 20 | 13 | 200 | 1.5 | 32 |
BTA06-600C | ST | TO-220AB | 双向 | 三极 | 600 | 600 | 6 | 60 | 1.3 | 25 | |
BTA08-600C | ST | TO-220AB | 双向 | 三极 | 600 | 600 | 8 | 80 | 1.3 | 25 | |
BTA10-600B | ST | TO-220AB | 双向 | 三极 | 600 | 600 | 10 | 100 | 1.3 | 25 | |
BTA12-600B | ST | TO-220AB | 双向 | 三极 | 600 | 600 | 12 | 120 | 1.3 | 25 |
《深圳阔晶电子》
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品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 BTA12-600B 控制方式 双向 极数 三极 封装材料 塑料封装 封装外形 TO-220AB 关断速度 普通 散热功能 带散热片 功率特性 中功率 频率特性 中频 额定正向平均电流 12(A) 控制极触发电压 1.3(V) 控制极触发电流 25(mA) 正向重复峰值电压 600(V) 反向阻断峰值电压 600(V) 型号封装控制方式极数VDRMVRRMITITITVGTIGTTYPE品牌Package( V )( V )MAX(RMS)AMAX(AV)ATSM(MAX)A(max)V(max)MABT169DNXPTO-92单向三极4004000.80.580.80.2BT131-600ENXPTO-9...
品牌/商标 VISHAY 型号/规格 SI2306 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0.8(V) 夹断电压 30(V) 漏极电流 3500(mA) MOS管供应商,期待与您的合作。。 SI2306 SOT-23 3000PCS/盘30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 30V N 沟道增强型 MOS 管 VDS= -30VRDS(ON),Vgs@10V,Ids@3.5A= 46mΩRDS(ON),Vgs@4.5V,Ids@2.8A= 70mΩ Features 特性Advanced trench process technology 的加工技术High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 极低的导通电阻高密度的单元设计 深圳市阔晶电子有限公司,MOS管,IC,二三极...