优势供应可控硅BTA12-600B ST
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | ST意法半导体 | |
| 型号： | BTA12-600B |
| 品牌/商标 | ST意法半导体 | 型号/规格 | BTA12-600B |
| 控制方式 | 双向 | 极数 | 三极 |
| 封装材料 | 塑料封装 | 封装外形 | TO-220AB |
| 关断速度 | 普通 | 散热功能 | 带散热片 |
| 功率特性 | 中功率 | 频率特性 | 中频 |
| 额定正向平均电流 | 12（A） | 控制极触发电压 | 1.3（V） |
| 控制极触发电流 | 25（mA） | 正向重复峰值电压 | 600（V） |
| 反向阻断峰值电压 | 600（V） |
| 型号 | 封装 | 控制方式 | 极数 | VDRM | VRRM | IT | IT | IT | VGT | IGT | |
| TYPE | 品牌 | Package | ( V ) | ( V ) | MAX（RMS）A | MAX(AV)A | TSM（MAX）A | （max）V | （max）MA | ||
| BT169D | NXP | TO-92 | 单向 | 三极 | 400 | 400 | 0.8 | 0.5 | 8 | 0.8 | 0.2 |
| BT131-600E | NXP | TO-92 | 双向 | 三极 | 600 | 600 | 1 | 12.5 | 1.5 | 10 | |
| BT134-600E | NXP | TO-126 | 双向 | 三极 | 600 | 600 | 4 | 25 | 1.5 | 25 | |
| BT136-600E | NXP | TO-220AB | 双向 | 三极 | 600 | 600 | 4 | 25 | 1.5 | 25 | |
| BT137-600E | NXP | TO-220AB | 双向 | 三极 | 600 | 600 | 8 | 65 | 1.5 | 50 | |
| BT138-600E | NXP | TO-220AB | 双向 | 三极 | 600 | 600 | 12 | 95 | 1.5 | 25 | |
| BT139-600E | NXP | TO-220AB | 双向 | 三极 | 600 | 600 | 16 | 140 | 1.5 | 25 | |
| BT151-500R | NXP | TO-220AB | 单向 | 三极 | 500 | 500 | 12 | 7.5 | 100 | 1.5 | 15 |
| BT152-600R | NXP | TO-220AB | 单向 | 三极 | 650 | 650 | 20 | 13 | 200 | 1.5 | 32 |
| BTA06-600C | ST | TO-220AB | 双向 | 三极 | 600 | 600 | 6 | 60 | 1.3 | 25 | |
| BTA08-600C | ST | TO-220AB | 双向 | 三极 | 600 | 600 | 8 | 80 | 1.3 | 25 | |
| BTA10-600B | ST | TO-220AB | 双向 | 三极 | 600 | 600 | 10 | 100 | 1.3 | 25 | |
| BTA12-600B | ST | TO-220AB | 双向 | 三极 | 600 | 600 | 12 | 120 | 1.3 | 25 |
《深圳阔晶电子》
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优势供应MOS管 SI2306 场效应管
信息内容：品牌/商标 VISHAY 型号/规格 SI2306 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0.8（V） 夹断电压 30（V） 漏极电流 3500（mA） MOS管供应商，期待与您的合作。。 SI2306 SOT-23 3000PCS/盘30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 30V N 沟道增强型 MOS 管 VDS= -30VRDS(ON),Vgs@10V,Ids@3.5A= 46mΩRDS(ON),Vgs@4.5V,Ids@2.8A= 70mΩ Features 特性Advanced trench process technology 的加工技术High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 极低的导通电阻高密度的单元设计 深圳市阔晶电子有限公司，MOS管，IC，二三极...
优势供应 场效应管 贴片MOS管 3401
信息内容：品牌/商标 台产 型号/规格 3401 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 -1（V） 夹断电压 -30（V） 漏极电流 4200（mA） 耗散功率 1400（mW） 3401 SOT-23 3000PCS/盘 30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET 30V P 沟道增强型 MOS 管 VDS= -30VRDS(ON),Vgs@-10V,Ids@-4.2A = 60mΩRDS(ON),Vgs@-4.5V,Ids@-4.0A= 75mΩRDS(ON),Vgs@-2.5V,Ids@-1.0A= 120mΩ Features 特性Advanced trench process technology 的加工技术High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 极低的导通电阻高密度...
