优势供应MOS管 SI2306 场效应管
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | VISHAY | |
| 型号： | SI2306 |
| 品牌/商标 | VISHAY | 型号/规格 | SI2306 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | S/开关 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 0.8（V） | 夹断电压 | 30（V） |
| 漏极电流 | 3500（mA） |
MOS管供应商，期待与您的合作。。
SI2306 SOT-23 3000PCS/盘
30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 30V N 沟道增强型 MOS 管
VDS= -30V
RDS(ON),Vgs@10V,Ids@3.5A= 46mΩ
RDS(ON),Vgs@4.5V,Ids@2.8A= 70mΩ
Features 特性
Advanced trench process technology 的加工技术
High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 极低的导通电阻高密度的单元设计
深圳市阔晶电子有限公司，MOS管，IC，二三极管供应商，常备现货，量大单价从优，期待您的合作。
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优势供应 场效应管 贴片MOS管 3401
信息内容：品牌/商标 台产 型号/规格 3401 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 -1（V） 夹断电压 -30（V） 漏极电流 4200（mA） 耗散功率 1400（mW） 3401 SOT-23 3000PCS/盘 30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET 30V P 沟道增强型 MOS 管 VDS= -30VRDS(ON),Vgs@-10V,Ids@-4.2A = 60mΩRDS(ON),Vgs@-4.5V,Ids@-4.0A= 75mΩRDS(ON),Vgs@-2.5V,Ids@-1.0A= 120mΩ Features 特性Advanced trench process technology 的加工技术High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 极低的导通电阻高密度...
优势供应MOS SI2307 SOT-23 场效应
信息内容：品牌/商标 VISHAY 型号/规格 SI2307 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 1.8（V） 夹断电压 30（V） 漏极电流 3200（mA） MOS管供应商，期待与您的合作。。 SI2307 SOT-23 3000PCS/盘-30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET 30V P 沟道增强型 MOS 管 VDS= -30VRDS(ON),Vgs@-10V,Ids@3.2A= 63mΩRDS(ON),Vgs@-4.5V,Ids@2.5A= 105mΩ Features 特性Advanced trench process technology 的加工技术High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 极低的导通电阻高密度的单元设计 深圳市阔晶电子有限公司，MOS管，IC，二...
