优势供应MOS SI2307 SOT-23 场效应
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | VISHAY | |
| 型号： | SI2307 |
| 品牌/商标 | VISHAY | 型号/规格 | SI2307 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | S/开关 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
| 开启电压 | 1.8（V） | 夹断电压 | 30（V） |
| 漏极电流 | 3200（mA） |
MOS管供应商，期待与您的合作。。
SI2307 SOT-23 3000PCS/盘
-30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET 30V P 沟道增强型 MOS 管
VDS= -30V
RDS(ON),Vgs@-10V,Ids@3.2A= 63mΩ
RDS(ON),Vgs@-4.5V,Ids@2.5A= 105mΩ
Features 特性
Advanced trench process technology 的加工技术
High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 极低的导通电阻高密度的单元设计
深圳市阔晶电子有限公司，MOS管，IC，二三极管供应商，常备现货，量大单价从优，期待您的合作。
联系方式：颜婵贞 13632530586 QQ：731785022 TEL：0755-83234439 FAX：0755-82539398
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- 联系人： 颜婵銮
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- 传真：755-83234439
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优势供应 场效应管 贴片MOS管 SI2312
信息内容：品牌/商标 VISHAY威世 型号/规格 SI2312DS-T1-ES 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0.85（V） 夹断电压 20（V） 漏极电流 3900（mA） 耗散功率 750（mW）
优势供应MOS管 AO4407 P管 场效应管
信息内容：品牌/商标 ALP美国Alpha 型号/规格 AO4407 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 1.8（V） 夹断电压 30（V） 漏极电流 12000（mA） 耗散功率 3000（mW） MOS管供应商，期待与您的合作。。 AO4407 SOP-8 2500PCS/盘 30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET 30V P 沟道增强型 MOS 管 VDS= -30VRDS(ON),Vgs@-10V,Ids@-10A= 14mΩRDS(ON),Vgs@-4.5V,Ids@-10A= 20mΩ Features 特性Advanced trench process technology 的加工技术High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 极低的导通电阻高密度的...
