DG1040C SR1040 DB1040 MUR1040 MUB1040 肖特基二极管
| 价 格： | 0.01 | |
| 品牌/商标： | 国产 | |
| 型号/规格： | DG1040C | |
| 封装形式： | 直插型 | |
| 功率特性： | 中功率 | |
| 频率特性： | 高频 |
| 产品类型 | 整流管 | 品牌/商标 | 国产 |
| 型号/规格 | DG1040C | 结构 | 肖特基 |
| 材料 | 硅(Si) | 封装形式 | 直插型 |
| 封装材料 | 塑料封装 | 功率特性 | 中功率 |
| 频率特性 | 高频 | 发光颜色 | 无发光 |
| LED封装 | DO-126C | 出光面特征 | 无 |
| 发光强度角分布 | 无 | 反向电压VR | 40（V） |
| 正向直流电流IF | 10000（mA） |
东莞四海通电子主营各类三极管,二极管,MOS,可控硅,MOS,IC的批发业务,
主要产品有
三极管：S9012,S9013,S9014,S9015,S9018,S8550,S8050,2N5551,2N5401,2N3904,2N3906，2SC1815,A1015,A733,C945,A42,A92,B772,D882,13003,13005,13007......
MOS管：2N60 3N60 4N60 5N60 6N60 7N60 8N60 9N60 10N60 11N60 12N60 ……..
二极管：IN5819 IN4007 IN4148 SR260 SR360 SR560 MUB10100 MRB20100 MRB2060…….
单双向控硅:BAT131 BAT134 BAT136 BAT137 BAT138 BAT06 BTB06 BAT08 BTB08 BAT12 BTB12 BAT16 BTB16 BAT20 BTB20 BAT24 BTB24 BAT26 BTB26 BAT41 BTB41……..
IC：JT3026 JT3027 JT3037 CR6203 CR6224 LD7535 CR6563 CR6568 MC34063 TD1510 TD1513 TD1583 TD7590 ………
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信息内容：dzsc/19/1194/19119421.jpgdzsc/19/1194/19119421.jpgFeatures : High input resistance and low drive current Sound temperature characteristic Fast switching speed Easy to increase current capacity by parallel wayMajorApplications :Power switching circuit and power amplification circuitDG10N60 VDMOS power transistorAbsolute maximum ratings ( Tamb=25oC)
11N60 DG11N60 大功率开关电源MOS 场效应管
信息内容：Features : High input resistance and low drive current Sound temperature characteristic Fast switching speed Easy to increase current capacity by parallel wayMajorApplications :Power switching circuit and power amplification circuitDG11N60 VDMOS power transistor Absolute maximum ratings ( Tamb=25oC)ParameterSymbolRating valueUnitdrain current ( continuous )ID11Adrain source voltageVGS±30Vdrain current ( pulsed )IDM33Athermal resistance （junction case )RθJC1℃/Wdissipated power Tc=25oCPtot175Wjunction temperatureTj-55 to 150 ℃storage temperatureTstg-55 to 150 ℃ DG11N60 VDMOS power transistorElectrical characteristics( Tamb=25oC)ParameterSymbolTest conditionsValueUnitMINNORMAXD-S voltageVDSSVGS=0V, ID=250μA600 VD-S on resistanceRDS(on)VGS=10V, ID=5.5A 0.320.38Ωgate threshold voltageVGS(th)VDS=VGS, ID=250μA2 4VS-D leakage currentIDSSVDS=600V, VGS=0V 10μAG-S leakage currentIGSSVGS= 30V ±100nAtranscond...
