IR MOS 场效应管 IRFD120PBF IRFD120 全新原装 优势价格
| 价 格： | 0.10 | |
| 品牌： | IR美国国际整流器公司 | |
| 型号： | IRFD120PBF |
| 品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRFD120PBF |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | S/开关 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 100（V） | 夹断电压 | 4（V） |
| 极间电容 | 360（pF） | 漏极电流 | 1.3（mA） |
| 耗散功率 | 1.3（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 彭志毫
- 电话：86 0755 82719303
- 传真：86 0755 82719303
- 手机：13760241411
- QQ ：
IR分销 全系列场效应管 原装现货 供应 IRFR024NPBF IRFR024N
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFR024NPBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 TR/激励、驱动 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 55（V） 夹断电压 25（V） 极间电容 370（pF） 漏极电流 17（mA） 耗散功率 45（mW）
IR MOS 场效应管 IRF630NPBF IRF630N IRF630全新原装 长期供应
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF630NPBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 NF/音频(低频) 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 200（V） 极间电容 575（pF） 漏极电流 9.3（mA） 耗散功率 82（mW）
