IR MOS 全系列场效应管 IRL2203NPBF IRL2203N IRL2203 全新原装
| 价 格： | 0.01 | |
| 品牌： | IR美国国际整流器公司 | |
| 型号： | IRL2203NPBF |
| 品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRL2203NPBF |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | TV/电视 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 30（V） | 夹断电压 | 25（V） |
| 极间电容 | 3290（pF） | 漏极电流 | 160（mA） |
| 耗散功率 | 180（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
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IR MOS 场效应管 IRFD120PBF IRFD120 全新原装 优势价格
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFD120PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 100（V） 夹断电压 4（V） 极间电容 360（pF） 漏极电流 1.3（mA） 耗散功率 1.3（mW）
IR分销 全系列场效应管 原装现货 供应 IRFR024NPBF IRFR024N
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFR024NPBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 TR/激励、驱动 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 55（V） 夹断电压 25（V） 极间电容 370（pF） 漏极电流 17（mA） 耗散功率 45（mW）
