ST进口原装 长期供应STP80NF55-08 STP80NF55 (代替IRF3205PBF)
| 价 格： | 2.00 | |
| 品牌： | ST意法半导体 | |
| 型号： | STP80NF55 |
| 品牌/商标 | ST意法半导体 | 型号/规格 | STP80NF55 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | NF/音频(低频) |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 55（V） | 夹断电压 | 25（V） |
| 极间电容 | 3850（pF） | 漏极电流 | 80（mA） |
| 耗散功率 | 300（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
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IR MOS 全系列场效应管 IRL2203NPBF IRL2203N IRL2203 全新原装
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRL2203NPBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 TV/电视 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 30（V） 夹断电压 25（V） 极间电容 3290（pF） 漏极电流 160（mA） 耗散功率 180（mW）
IR MOS 场效应管 IRFD120PBF IRFD120 全新原装 优势价格
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFD120PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 100（V） 夹断电压 4（V） 极间电容 360（pF） 漏极电流 1.3（mA） 耗散功率 1.3（mW）
