三极管MJE13007
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | NEC | |
| 型号： | MJE13007 |
| 品牌/商标 | NEC | 型号/规格 | MJE13007 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 0（V） | 夹断电压 | 0（V） |
| 低频跨导 | 0（μS） | 极间电容 | 0（pF） |
| 低频噪声系数 | 0（dB） | 漏极电流 | 0（mA） |
| 耗散功率 | 0（mW） |
- 所属城市：广东 汕头
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场效应管2SK1983
信息内容：品牌/商标 富士通 型号/规格 2SK1983 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0（V） 夹断电压 0（V） 低频跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） 供应一系列三极管78L05TL431KA431LM7924LM79247918LM79187915LM7915791279127908790879067906790579057824782478187818781578157812781278107909780978087808780678067805
场效应管2SK2027
信息内容：品牌/商标 富士通 型号/规格 2SK2027 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0（V） 夹断电压 0（V） 低频跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） 供应一系列三极管B761D1828D1827D1590D1276D1135C3852D880C5241C4056D2061D2012D1666D1415D1309D1308D1275D1273D1266D1264D1138
