| 品牌/商标 | 富士通 | 型号/规格 | 2SK1983 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 0(V) | 夹断电压 | 0(V) |
| 低频跨导 | 0(μS) | 极间电容 | 0(pF) |
| 低频噪声系数 | 0(dB) | 漏极电流 | 0(mA) |
| 耗散功率 | 0(mW) |
供应一系列三极管
| 78L05 |
| TL431 |
| KA431 |
| LM7924 |
| LM7924 |
| 7918 |
| LM7918 |
| 7915 |
| LM7915 |
| 7912 |
| 7912 |
| 7908 |
| 7908 |
| 7906 |
| 7906 |
| 7905 |
| 7905 |
| 7824 |
| 7824 |
| 7818 |
| 7818 |
| 7815 |
| 7815 |
| 7812 |
| 7812 |
| 7810 |
| 7909 |
| 7809 |
| 7808 |
| 7808 |
| 7806 |
| 7806 |
| 7805 |
品牌/商标 富士通 型号/规格 2SK2027 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0(V) 夹断电压 0(V) 低频跨导 0(μS) 极间电容 0(pF) 低频噪声系数 0(dB) 漏极电流 0(mA) 耗散功率 0(mW) 供应一系列三极管B761D1828D1827D1590D1276D1135C3852D880C5241C4056D2061D2012D1666D1415D1309D1308D1275D1273D1266D1264D1138
品牌/商标 TOSHIBAIBA 型号/规格 MTP50N06 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0(V) 夹断电压 0(V) 极间电容 0(pF) 低频噪声系数 0(dB) 漏极电流 0(mA) 耗散功率 0(mW) 供应一系列三极管2SB6012SB9552SB7912SB7502SB8502SB8512SB8522SB8532SB8542SB8552SB8562SB8582SB8592SB8822SB8832SB8842SB8852SB824dzsc/18/7321/18732184.jpg