场效应管2SK2027
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | 富士通 | |
| 型号： | 2SK2027 |
| 品牌/商标 | 富士通 | 型号/规格 | 2SK2027 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 0（V） | 夹断电压 | 0（V） |
| 低频跨导 | 0（μS） | 极间电容 | 0（pF） |
| 低频噪声系数 | 0（dB） | 漏极电流 | 0（mA） |
| 耗散功率 | 0（mW） |
供应一系列三极管
| B761 |
| D1828 |
| D1827 |
| D1590 |
| D1276 |
| D1135 |
| C3852 |
| D880 |
| C5241 |
| C4056 |
| D2061 |
| D2012 |
| D1666 |
| D1415 |
| D1309 |
| D1308 |
| D1275 |
| D1273 |
| D1266 |
| D1264 |
| D1138 |
- 所属城市：广东 汕头
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 王钟禄
- 电话：0754-84495862
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大量供应大电流三极管MTP50N06逆变器专用
信息内容：品牌/商标 TOSHIBAIBA 型号/规格 MTP50N06 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0（V） 夹断电压 0（V） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） 供应一系列三极管2SB6012SB9552SB7912SB7502SB8502SB8512SB8522SB8532SB8542SB8552SB8562SB8582SB8592SB8822SB8832SB8842SB8852SB824dzsc/18/7321/18732184.jpg
场效应管2SK1550
信息内容：品牌/商标 富士通 型号/规格 2SK1550 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0（V） 夹断电压 0（V） 低频跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） 供应一系列三极管A1006A1007A1008A1009A1010A1011A1012A1046A1049A1077A1111A1112A1113A1114A1129A1258A1261A1276A1289A1290
